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Samsung Electronics Co. Ltd., el líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció el desarrollo del primer chip de memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM) de 50 nanómetros del mundo. Tal procesador utiliza un nuevo diseño de transistor tridimensional, que permitirá al chip retener mejor la memoria y a aumentar el rendimiento en un 55 por ciento.

El nuevo dispositivo de memoria incorpora avanzada tecnología tanto como un transistor tridimensional (3D) diseñado y multi capas dieléctricas con una elevada performance y capacidad de almacenamiento de datos.

Samsung estima que los 50 nanómetros pueden ser adaptados a otros chips como los gráficos y los DRAM para móviles. Se espera que la producción de estos chips se haga de forma intensiva a partir del 2008.

"Con el chip DRAM desarrollado, estaremos continuando con nuestra tecnología de líderes, pavimentando el camino para nuestros clientes, a manera de conseguir no solo gran eficiencia sino también productos superiores, dijo Nam Yong Cho, vice presidente ejecutivo de ventas de memoria y del Negocio de Semiconductores de Samsung.